7月22日，存储板块全球暴涨，带动A股市场存储芯片股集体走强。其中，大为股份（002213）（002213.SZ）、红板科技（603459）（603459.SH）、通富微电（002156）（002156.SZ）10CM涨停，深科技（000021）（000021.SZ）涨超8%，富满微（300671）（300671.SZ）、神州数码（000034）（000034.SZ）、雅克科技（002409）（002409.SZ）涨超6%，协创数据（300857）（300857.SZ）、有研新材（600206）（600206.SH）、北方华创（002371）（002371.SZ）、恒烁股份（688416.SH）、太极实业（600667）涨超5%。
消息面上，三星电子、SK海力士（SKHY.US）与美光科技（MU.US）三大存储芯片厂商全面展开HBM4良率竞争。作为第六代高带宽内存，HBM4将应用于英伟达（NVDA.US）下半年推出的Vera Rubin等AI加速芯片，成为下半年企业业绩关键支撑。
三星已率先实现HBM4规模化量产，业内预估其良率接近70%，得益于1C工艺DRAM（年初良率稳定超80%）的持续带动，良率管控能力显著提升。
SK海力士虽未公布精确良率，但行业判断其已进入稳定区间。为巩固超半HBM市场份额，其正洽谈引进新生产设备，以优化工艺并扩大产能。
美光因产能基础相对薄弱，正加速推进良率爬坡与大规模设备投资，同步提升产出能力。
良率（合格芯片占比）直接决定交付量与盈利空间，是厂商攻坚核心。尽管此前通用DRAM短期利润反超，但其涨价空间已趋缓（一季度近翻倍、二季度30%–50%、三季度0%–20%），而HBM需求持续扩张、高毛利优势将重归主导。
业内人士表示：“三星抢先落地 HBM4量产，良率提升带来的供货增量、利润增长已经在二季度财报中充分体现；下半年该趋势将延续，三大存储企业的良率竞争会进一步白热化。”
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